英飞凌在电动汽车高压功率模块及紧凑型封装领域公布多项技术方案。该系列产品将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2026展会期间展出，覆盖主驱逆变器、固态保护及高功率密度供电等关键应用场景。
HybridPACK Drive系列迎来首款能够在205°C结温下持续运行的1300V碳化硅模块。市面同类功率模块的持续运行温度上限通常为175°C，该方案将工作温度窗口拓宽了30°C。工作温度的提高直接使输出电流提升15%，这意味着在同等体积下逆变器功率密度可得到相应提升。该模块的封装尺寸、引脚定义与接口与现有产品保持完全一致，OEM与Tier 1供应商能够以“即插即用”的方式复用既有逆变器平台，省去重新开模与长周期验证环节。更高的热耐受能力还意味着对冷却系统的依赖度降低，设计端可选用体积更小或流道更简化的散热方案，从而削减系统成本并降低整车重量。
作为HybridPACK Drive系列中首款阻断电压达到1300V的模块，该产品可匹配超过900V的高压电池包，以更高电压平台支撑逆变器在峰值功率区的效率和鲁棒性。英飞凌后续计划将205°C运行能力扩展至同系列1200V SiC模块。
面向固态断路器、电池开关以及AI数据中心供配电架构，英飞凌同步扩展了CoolSiC JFET分立器件产品组合。已量产的750V和1200V常开型器件采用Q-DPAK封装，其中750V型号导通电阻低至1.6mΩ，1200V型号低至2.3mΩ，在同电压等级碳化硅器件中数值偏低。新增的常关型配置集成了CoolSiC JFET与OptiMOS低压硅MOSFET，提供双路驱动和共源共栅两种选项。双路驱动配置可分别控制JFET与MOSFET栅极，支持在VGS=2V条件下过驱运行，将导通电阻额外降低约10%；共源共栅配置仅对外引出MOSFET栅极，兼容标准栅极驱动器，简化即插即用操作。这些器件还提供TO-247-4封装与TOLL封装，其中TO-247-4封装的1200V器件导通电阻为5.0mΩ，可直接替换现有设计中的SiC MOSFET而无需改动PCB。
在过载与故障工况下，基于CoolSiC JFET的固态保护方案开关速度较机电系统快数个数量级。这种故障隔离能力在AI数据中心中可保护高价值计算与存储资产，在电动汽车电池管理系统中则有助于快切故障回路并保证器件长期稳定导通。全部CoolSiC JFET均采用.XT互连技术与扩散焊工艺，以强化脉冲和循环负载场景下的热性能。
针对空间受限场景，英飞凌推出EasyPACK S紧凑封装方案，封装高度5.6mm，占板面积约33×36mm²。首发模块集成1200V CoolSiC MOSFET G2以及IGBT4、1200V IGBT7等技术。EasyPACK S通过PressFIT引脚将电流承载能力提升一倍，其机械结构预设抓取位、定位孔并缩小引脚间距，配合自动化产线可缩短制造节拍。模块采用覆铜陶瓷基板实现均匀散热，配合新型塑封材料与硅凝胶，支持175°C结温下连续工作，并通过了工业与汽车标准认证。该平台架构具备前向兼容能力，可扩展至下一代SiC和GaN器件。
预计采用Q-DPAK封装的750V和1200V CoolSiC JFET将于2026年量产，TO-247-4封装及双驱动、共源共栅配置型号已面向客户提供工程样品，同年进入量产阶段。EasyPACK S模块首批集成CoolSiC MOSFET G2和IGBT4的产品将于7月开始供货。