9月16日，在盖世汽车主办的2026第六届汽车芯片生态大会上，博世功率半导体产品高级经理、碳化硅数据中心全球业务负责人王骏跃发表演讲，系统介绍了博世碳化硅技术路线、产能布局及向AI数据中心（AIDC）延伸的战略。
技术路线
据盖世汽车报道，王骏跃在演讲中明确了博世的碳化硅芯片技术选择。在平面型与沟槽型两条主流技术路线中，博世选择了难度更高但性能更优的沟槽型路线。王骏跃介绍，目前市场主流仍以平面型为主，因其结构简单、易于实现，但“如果为了达到更好的TCO，能够达到更好的成本和性能平衡，沟槽是一个更好的选择”。
在同样单位面积下，沟槽型芯片可输出更高电流，意味着输出同样电流所需芯片面积更小。王骏跃强调：“博世从2002年开始研发碳化硅的时候，就坚定不移地走沟槽型的路线。”这一选择源于博世在IGBT和MOSFET等领域早已是沟槽工艺的全球先行者，具备足够的技术积累和工艺参数调校经验。基于此，博世将外延和芯片环节坚定地放在自有工厂完成，从外延阶段便融入沟槽工艺的独到经验。
出货数据与应用定位
据盖世汽车披露的演讲内容，王骏跃透露了博世碳化硅产品的核心出货数据。自2021年实现汽车主驱逆变器碳化硅量产以来，博世累计出货已超过7000万颗芯片，“目前大约在8000万颗，没有出现失效”。模块方面，每一代产品累计出货已超过1400万个。
王骏跃特别指出，博世从第一颗碳化硅芯片起就直接瞄准汽车主驱逆变器这一最高难度应用，而非遵循从工业到汽车、从辅助器件到主驱的常规渐进路径。
产能规划与产品演进
在产能布局上，据盖世汽车报道，王骏跃表示博世目前在德国和美国拥有两座完全基于8英寸的碳化硅晶圆厂，美国工厂将于2026年底开始量产。2024年至2030年的六年间，博世计划将全球碳化硅产能扩张20倍，“可以满足AIDC这个市场需求的冲击，同时可以满足全球车企客户的一个需求”。
产品迭代节奏同步公布。王骏跃介绍，博世目前处于第二代芯片阶段，第三代芯片计划于2027年量产，2029年和2031年将推出更先进的沟槽技术迭代。
AIDC业务双线并进
除汽车业务外，王骏跃在演讲中还提及了博世的新业务方向。据盖世汽车报道，博世已于7月1日正式启动AI数据中心（AIDC）全球业务。王骏跃指出，AIDC将消耗大量碳化硅产能，尤其是代表未来方向的固态变压器（SST），“几乎是一个全碳化硅的应用解决方案”。
另据新华社9月11日报道，博世还在布局智能驾控中国区产业创新项目，计划未来五年内投资约100亿元，攻关全栈式智能驾驶与智能座舱。上述两项信息分别来自不同来源的独立报道，展现了博世在不同业务维度的推进动作。
本次2026第六届汽车芯片生态大会由盖世汽车主办，王骏跃的演讲完整呈现了博世在碳化硅领域从技术路线、量产数据到产能扩张及新场景拓展的全盘业务布局。