碳化硅：本站文章合集
"碳化硅"是新能源领域重要话题，一页电车持续追踪相关动态，为你精选深度解析与一手资讯。
智电研究所｜零跑B01/B10全域800V拆解：10万级真高压还是营销噱头？
零跑B01/B10将全域800V碳化硅平台下放至10万级，30%-80%快充仅需16分钟，实测补能效率越级。
产经周知｜芯联集成3300V SiC量产：AI算力与电动车共享高压红利
芯联集成推出3300V SiC MOSFET，虽主攻固态变压器，但验证了国产8英寸SiC高压工艺成熟度，为车企800V平台降本提供供应链底气。
Wolfspeed发布Gen5 SiC背后的产业逻辑：以芯片效率对冲电池成本
Wolfspeed推出第五代碳化硅MOSFET，比导通电阻降低27%，旨在通过功率器件迭代缓解车企电池成本压力。
车企内参｜Wolfspeed发布第五代SiC技术：电驱降本与800V普及的关键变量
Wolfspeed推出第五代碳化硅MOSFET，比导通电阻降低27%，依托200mm量产平台加速车企800V架构降本与续航优化。
数据看SiC逆变器：耐温提升30°C输出电流增15%，功率模块进入存量平台升级周期
英飞凌推出205°C碳化硅模块，较行业主流175°C提升30°C，输出电流增15%，兼容现有封装，说明EV逆变器正从新设计转向存量平台性能挖潜。
英飞凌碳化硅模块耐温205°C，老司机说说真实感受
英飞凌新碳化硅模块耐温达205°C，输出电流提升15%，散热压力更小，但量产装车还需时间验证。
智电研究所｜小米YU7标准版800V高压平台解析：和Model Y比差在哪？
小米YU7标准版搭载752V碳化硅平台，15分钟快充补能405km，直指Model Y入门版。